• Het aangepaste Sapphire Wafer Used As Infrared-Infrarode Werkingsgebied van de Venstersnacht
  • Het aangepaste Sapphire Wafer Used As Infrared-Infrarode Werkingsgebied van de Venstersnacht
  • Het aangepaste Sapphire Wafer Used As Infrared-Infrarode Werkingsgebied van de Venstersnacht
Het aangepaste Sapphire Wafer Used As Infrared-Infrarode Werkingsgebied van de Venstersnacht

Het aangepaste Sapphire Wafer Used As Infrared-Infrarode Werkingsgebied van de Venstersnacht

Productdetails:

Plaats van herkomst: CHINA
Merknaam: BonTek
Certificering: ISO:9001
Modelnummer: Saffier (Al2O3)

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 5 stukken
Prijs: Onderhandelbaar
Verpakking Details: Cassette, Kruik, Filmpakket
Levertijd: 1-4 weken
Betalingscondities: T/T
Levering vermogen: 10000 Stukken/Maand
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Materiaal: Sapphire Wafer richtlijn: C-as [0001], r-As [1-102], a-As [11-20], m-As [10-10]
transmissiebereik: 0,17 tot 5,5 microns Brekingsindex: 1.75449 (o) 1.74663 (e) bij 1,06 microns
Bezinningsverlies: bij 1,06 micron (2 oppervlakken) voor o-straal - 11,7%; voor e-straal - 14,2% Indeks van absorptie: 0.3 x 10-3 cm-1 bij 2,4 micron
Specifieke Hittecapaciteit: 419 J (kg x K) Dielectrische constante: 11.5 (parallelle c-As) 9,4 (loodrechte c-As) bij 1MHz
Markeren:

Aangepaste Sapphire Wafer

,

Al2o3 van het nacht Infrarood Werkingsgebied wafeltje

,

De Camera Sapphire Wafer van de nachtvisie

Productomschrijving

Op maat gemaakte saffieren wafer gebruikt als infrarood raam nachtcamera

 

Saffirafels zijn de belichaming van de moderne halfgeleidertechnologie en combineren uitzonderlijke hardheid en chemische stabiliteit met superieure optische eigenschappen.Hun unieke combinatie van eigenschappen maakt ze ideaal voor een breed scala aan elektronische toepassingen, van LED's en zonnecellen tot high-power elektronica.

Met hun uitzonderlijke thermische geleidbaarheid zorgen saffierplaten voor een efficiënte warmteafvoer, essentieel voor het behoud van de prestaties van krachtige apparaten.hun hoge transparantie in het zichtbare en UV-spectrum maakt een maximale lichtextractie in opto-elektronica mogelijk, wat leidt tot een superieure efficiëntie en helderheid.

De toekomst van de elektronica is hier, en het is gemaakt van saffier.

Beschikbare oriëntatie:

C-as [0001], R-as [1-102], A-as [11-20], M-as [10-10], Willekeurig

Safiren ramen / ruiters

 

Diameter / breedte:

25.0 - 250,0 mm

Tolerantie:

Standaard ± 2°, speciaal tot ± 0,1°

Dikte:

Minimaal 0.15, maximaal 120,0 mm

Afwerking van het oppervlak:

Als gesneden, fijn gemalen, gelappeerd, gepolijst s/d 80/50, 60/40, 40/20, 20/10, 10/5, volgens MIL-0-13830A

Eind / randkwaliteit:

Fijne grond, 80/50

met een gewicht van niet meer dan 10 kg

 

Afmetingen

Tot 50 mm binnendiameter, 0,5 - 4,0 mm wanddikte, 300-600 mm buislengte

Oriëntatie

C-as in de lengte van de buis

met een gewicht van niet meer dan 50 kg

Tot 50 mm binnendiameter, 0,5 - 3,0 mm wanddikte, 80-350 mm buislengte

met een breedte van niet meer dan 15 mm

Diameter/breedte 5-220 mm, dikte/lengte 25 ∼ 125 mm

Oppervlakte kwaliteit

Als gesneden, Eindjes/randkwaliteit Diamant gesneden


Het aangepaste Sapphire Wafer Used As Infrared-Infrarode Werkingsgebied van de Venstersnacht 0Het aangepaste Sapphire Wafer Used As Infrared-Infrarode Werkingsgebied van de Venstersnacht 1Het aangepaste Sapphire Wafer Used As Infrared-Infrarode Werkingsgebied van de Venstersnacht 2

 

Optische eigenschappen van SAFIR Al2O3

Transmissiebereik

0.17 tot 5,5 micron

Brekingsindex

1.75449 (o) 1.74663 (e) bij 1,06 micron

Verlies van reflectie

bij 1,06 micron (2 oppervlakken) voor o-straal - 11,7%; voor e-straal - 14,2%

Indeks van absorptie

0.3 x 10-3 cm-1 bij 2,4 micron

dN/dT

13.7 x 10-6 bij 5,4 micron

dn/dm = 0

1.5 micron

 

FYSISCHE eigenschappen van SAFIER Al2O3

Dichtheid

30,97 g/cm3

Smeltepunt

2040 graden C

Warmtegeleidbaarheid

27.21 W/m x K bij 300 K

Thermische expansie

5.6 x 10-6/K (parallelle C-as) en 5,0 (vertikkelige C-as) x 10-6/K

Hardheid

Knoop 2000 kg/mm2met een indenter van 2000 g

Specifieke warmtecapaciteit

419 J/ ((kg x K)

Dielectrische constante

11.5 (parallelle C-as) 9.4 (perpendiculaire C-as) bij 1 MHz

Young's modulus (E)

335 GPa

Schermodulus (G)

148.1 GPa

Bulkmodulus (K)

240 GPa

Elastische coëfficiënten

C11= 496 C12=164 C13=115
C33= 498 C44=148

Blijkbare elastische limiet

275 MPa (40.000 psi)

Poisson ratio

0.25


Het aangepaste Sapphire Wafer Used As Infrared-Infrarode Werkingsgebied van de Venstersnacht 3

 

Aanvaardingscontrole

Het aangepaste Sapphire Wafer Used As Infrared-Infrarode Werkingsgebied van de Venstersnacht 4

 

1Het product is kwetsbaar. We hebben het goed verpakt en het is kwetsbaar gelabeld. We leveren via uitstekende binnenlandse en internationale expressbedrijven om de transportkwaliteit te garanderen.

 

2. Na ontvangst van de goederen moet u voorzichtig handelen en controleren of de buitendoos in goede staat is.Neem een foto voordat je ze eruit haalt..

 

3Gelieve de vacuümverpakking in een schone ruimte te openen wanneer de producten moeten worden aangebracht.

 

4. Als de producten tijdens de koeriersdienst beschadigd blijken te zijn, neemt u dan alstublieft onmiddellijk een foto of neemt u een video op. NEEM DE beschadigde producten NIET uit de verpakkingsdoos!Neem onmiddellijk contact met ons op en we zullen het probleem goed oplossen.

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd Het aangepaste Sapphire Wafer Used As Infrared-Infrarode Werkingsgebied van de Venstersnacht kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.