• 76.2 mm /- 0.1 mm Diameter C-vlak Saffira Wafer met A-vlak 11-20 Primary Flat
76.2 mm /- 0.1 mm Diameter C-vlak Saffira Wafer met A-vlak 11-20 Primary Flat

76.2 mm /- 0.1 mm Diameter C-vlak Saffira Wafer met A-vlak 11-20 Primary Flat

Productdetails:

Plaats van herkomst: CHINA
Merknaam: CSIMC
Certificering: ISO:9001
Modelnummer: Saffier (Al2O3)

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 5 stukken
Prijs: Onderhandelbaar
Verpakking Details: Cassette, Kruik, Filmpakket
Levertijd: 1-4 weken
Betalingscondities: T/T
Levering vermogen: 10000 Stukken/Maand
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Materiaal: Sapphire Wafer Zuiverheid: 99.999%
Smeltepunt: 2040 °C Diameter: 76.2 mm /- 0,1 mm
Thermische Uitbreiding: 5.6 x 10 -6 /K (parallelle c-As) & 5,0 (loodrechte c-As) x 10 -6 /K Hardheid: Knoop 2000 kg/mm 2 met 2000g-indenter
Specifieke Hittecapaciteit: 419 J (kg x K) Dielectrische constante: 11.5 (parallelle c-As) 9,4 (loodrechte c-As) bij 1MHz
Markeren:

Halfgeleider Sapphire Wafer

,

Infrared van het halfgeleiderwafeltje

,

C-vlakke Sapphire Wafer

Productomschrijving

76.2 mm /- 0.1 mm Diameter C-vlak Saffira Wafer met A-vlak 11-20 Primary Flat

 

Onze saffieren wafers zijn met de beste materialen en de nieuwste technologie vervaardigd.en optische transparantie, waardoor het ideaal is voor een breed scala aan toepassingen.
Onze wafers zijn perfect voor de halfgeleiderindustrie, waar ze worden gebruikt in LED-chipsubstraten, opto-elektronica en high-power elektronica.Hun hoge thermische geleidbaarheid zorgt voor een efficiënte warmteafvoer, terwijl hun chemische traagheid en krabbelvastheid hen langdurig en betrouwbaar maken.
Bovendien zijn onze saffieren wafers verkrijgbaar in verschillende maten en diktes om aan de specifieke behoeften van onze klanten te voldoen.ervoor te zorgen dat onze producten voldoen aan de hoogste normen van prestaties en betrouwbaarheid.
Investeer vandaag nog in onze saffierwafels en geniet van de voordelen van superieure kwaliteit, duurzaamheid en prestaties.

 

76.2 mm /- 0.1 mm Diameter C-vlak Saffira Wafer met A-vlak 11-20 Primary Flat 076.2 mm /- 0.1 mm Diameter C-vlak Saffira Wafer met A-vlak 11-20 Primary Flat 176.2 mm /- 0.1 mm Diameter C-vlak Saffira Wafer met A-vlak 11-20 Primary Flat 2

 

Artikel 1

3 inch C-vlak ((0001) 500μm Saffira Wafers

Kristallenmaterialen

99,999%, hoge zuiverheid, monokristallijn Al2O3

Graad

Prime, Epi-Ready

Oppervlakte-oriëntatie

C-vlak ((0001)

C-vlak buiten hoek richting M-as 0,2 +/- 0,1°

Diameter

76.2 mm +/- 0,1 mm

Dikte

500 μm +/- 25 μm

Primaire platte oriëntatie

A-vlak ((11-20) +/- 0,2°

Primaire vlakke lengte

22.0 mm +/- 1,0 mm

Eenzijdig gepolijst

Vooroppervlak

Gepolijst, Ra < 0,2 nm (door AFM)

(SSP)

Achteroppervlak

fijn gemalen, Ra = 0,8 μm tot 1,2 μm

Tweezijdig gepolijst

Vooroppervlak

Gepolijst, Ra < 0,2 nm (door AFM)

(DSP)

Achteroppervlak

Gepolijst, Ra < 0,2 nm (door AFM)

TTV

< 15 μm

BOW

< 15 μm

WARP

< 15 μm

Reiniging / Verpakking

schoonmaakruimte van klasse 100 en vacuümverpakkingen,

25 stuks in één cassetteverpakking of in een enkele verpakking.

 

Artikel 1

4 inch C-vlak ((0001) 650μm Saffira Wafers

Kristallenmaterialen

99,999%, hoge zuiverheid, monokristallijn Al2O3

Graad

Prime, Epi-Ready

Oppervlakte-oriëntatie

C-vlak ((0001)

C-vlak buiten hoek richting M-as 0,2 +/- 0,1°

Diameter

100.0 mm +/- 0,1 mm

Dikte

650 μm +/- 25 μm

Primaire platte oriëntatie

A-vlak ((11-20) +/- 0,2°

Primaire vlakke lengte

30.0 mm +/- 1,0 mm

Eenzijdig gepolijst

Vooroppervlak

Gepolijst, Ra < 0,2 nm (door AFM)

(SSP)

Achteroppervlak

fijn gemalen, Ra = 0,8 μm tot 1,2 μm

Tweezijdig gepolijst

Vooroppervlak

Gepolijst, Ra < 0,2 nm (door AFM)

(DSP)

Achteroppervlak

Gepolijst, Ra < 0,2 nm (door AFM)

TTV

< 20 μm

BOW

< 20 μm

WARP

< 20 μm

Reiniging / Verpakking

schoonmaakruimte van klasse 100 en vacuümverpakkingen,

25 stuks in één cassetteverpakking of in een enkele verpakking.

 

Artikel 1

6 inch C-vlak ((0001) 1300 μm Saffira Wafers

Kristallenmaterialen

99,999%, hoge zuiverheid, monokristallijn Al2O3

Graad

Prime, Epi-Ready

Oppervlakte-oriëntatie

C-vlak ((0001)

C-vlak buiten hoek richting M-as 0,2 +/- 0,1°

Diameter

150.0 mm +/- 0,2 mm

Dikte

1300 μm +/- 25 μm

Primaire platte oriëntatie

A-vlak ((11-20) +/- 0,2°

Primaire vlakke lengte

47.0 mm +/- 1,0 mm

Eenzijdig gepolijst

Vooroppervlak

Gepolijst, Ra < 0,2 nm (door AFM)

(SSP)

Achteroppervlak

fijn gemalen, Ra = 0,8 μm tot 1,2 μm

Tweezijdig gepolijst

Vooroppervlak

Gepolijst, Ra < 0,2 nm (door AFM)

(DSP)

Achteroppervlak

Gepolijst, Ra < 0,2 nm (door AFM)

TTV

< 25 μm

BOW

< 25 μm

WARP

< 25 μm

Reiniging / Verpakking

schoonmaakruimte van klasse 100 en vacuümverpakkingen,

25 stuks in één cassetteverpakking of in een enkele verpakking.

 

76.2 mm /- 0.1 mm Diameter C-vlak Saffira Wafer met A-vlak 11-20 Primary Flat 3

 

Aanvaardingscontrole

76.2 mm /- 0.1 mm Diameter C-vlak Saffira Wafer met A-vlak 11-20 Primary Flat 4

 

1Het product is kwetsbaar. We hebben het goed verpakt en het is kwetsbaar gelabeld. We leveren via uitstekende binnenlandse en internationale expressbedrijven om de transportkwaliteit te garanderen.

 

2. Na ontvangst van de goederen moet u voorzichtig handelen en controleren of de buitendoos in goede staat is.Neem een foto voordat je ze eruit haalt..

 

3Gelieve de vacuümverpakking in een schone ruimte te openen wanneer de producten moeten worden aangebracht.

 

4. Als de producten tijdens de koeriersdienst beschadigd blijken te zijn, neemt u dan alstublieft onmiddellijk een foto of neemt u een video op. NEEM DE beschadigde producten NIET uit de verpakkingsdoos!Neem onmiddellijk contact met ons op en we zullen het probleem goed oplossen.

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd 76.2 mm /- 0.1 mm Diameter C-vlak Saffira Wafer met A-vlak 11-20 Primary Flat kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.