• C Vliegtuig Hoge Zachtheid en Netheid Sapphire Substrate For Semiconductor
  • C Vliegtuig Hoge Zachtheid en Netheid Sapphire Substrate For Semiconductor
C Vliegtuig Hoge Zachtheid en Netheid Sapphire Substrate For Semiconductor

C Vliegtuig Hoge Zachtheid en Netheid Sapphire Substrate For Semiconductor

Productdetails:

Plaats van herkomst: China
Merknaam: BonTek
Certificering: ISO:9001
Modelnummer: Saffier (Al2O3)

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 5 stukken
Prijs: negotiable
Verpakking Details: Cassette, Kruik, Filmpakket
Levertijd: 1-4 weken
Betalingscondities: T/T
Levering vermogen: 10000 Stukken/Maand
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Materiaal: Saffier (Al2O3) Type: Enig Crystal Al 2O3
Kleur: Wit Purity: 99.999%
Oppervlakte: Dubbel zijpoetsmiddel, Enig zijpoetsmiddel Eigenschap: Hardheid met hoge weerstand, hoge, hoge slijtageweerstand
Toepassing: Het Semicondutorwafeltje, leidde Spaander, Optisch Glasvenster, Elektronische Keramiek Industrie: Geleid, optisch Glas, eli-klaar Wafeltje
Markeren:

Halfgeleider Sapphire Substrate

,

C Vliegtuig Sapphire Substrate

,

Hoge Netheid Sapphire Wafer

Productomschrijving

C Vliegtuig Hoge Zachtheid en Hoge Netheid Sapphire Substrate For Semiconductor

 

De saffierwafeltjes zijn hoofdzakelijk geschikt voor het onderzoek en de ontwikkeling van nieuwe halfgeleiderapparaten, die hoge specificaties zoals hoge zachtheid en hoge netheid naast de traditionele standaardrangen van het saffiersubstraat aanbieden.

 

Hoofdlijnen

• Hardheid met hoge weerstand, hoge, hoge slijtageweerstand (hardheid tweede slechts aan diamant)

• Hoge overbrenging (lichte overbrenging in het ultraviolet aan infrarode waaier)

• Hoge corrosieweerstand (hoge tolerantie aan zuur, alkali, plasma)

• Hoge isolatie (isolatie, gemakkelijk om geen elektriciteit te leiden)

• Hoge hittebestendigheids (smeltpunt 2050℃) Warmtegeleiding (40 keer van glas)

 

Specificatie

• De standaardgrootte (φ2 „, 3“, 4 „, 6“, 8 „, 12“), andere speciale grootte, hoekvorm en andere vormen kunnen corresponderen.

• Kan aan een verscheidenheid van vliegtuigrichtlijn beantwoorden: c-vliegtuig, r-vliegtuig, m-vliegtuig, a-vliegtuig

• Het tweezijdige malen, hetopgeruimde malen

• Klantgericht ponsen

 

C Vliegtuig Hoge Zachtheid en Netheid Sapphire Substrate For Semiconductor 0C Vliegtuig Hoge Zachtheid en Netheid Sapphire Substrate For Semiconductor 1C Vliegtuig Hoge Zachtheid en Netheid Sapphire Substrate For Semiconductor 2

 

Crystal Materials 99,996% van Al2O3, Hoge Monocrystalline Zuiverheid, Al2O3  
Kristalkwaliteit De opneming, de bloktekens, de tweelingen, de Kleur, de microbellen en de verspreidingscentra zijn onbestaand  
Diameter 2inch 3inch 4inch 5inch ~ 7inch  
50.8± 0.1mm 76.2±0.2mm 100±0.3mm Overeenkomstig de bepalingen van standaardproductie  
 
Dikte 430±15µm 550±15µm 650±20µm Kan door klant worden aangepast  
Richtlijn C- vliegtuig (0001) aan m-Vliegtuig (1-100) of a-Vliegtuig (1 1-2 0) 0.2±0.1° /0.3 ±0.1°, r-Vliegtuig (1-1 0 2), a-Vliegtuig (1 1-2 0), m-Vliegtuig (1-1 0 0), Om het even welke Richtlijn, Om het even welke hoek  
Primaire vlakke lengte 16.0±1mm 22.0±1.0mm 32.5±1.5 mm Overeenkomstig de bepalingen van standaardproductie  
Primaire vlakke Richtlijn A-vliegtuig (1 1-2 0) ± 0.2°  
TTV ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
LTV ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
TIR ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
BOOG ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
Afwijking ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
Front Surface Epi-opgepoetst (Ra< 0="">  
Achteroppervlakte Fijne grond (Ra=0.5 aan epi-Opgepoetste 1,2 µm), (Ra< 0="">  
Nota Kan wafeltje het van uitstekende kwaliteit van het saffiersubstraat volgens klant-specifieke eis verstrekken  

 

FYSISCHE EIGENSCHAPPEN

Dichtheid 3.97 g/cm3
Smeltpunt 2040 graden van C
Warmtegeleidingsvermogen 27.21 w (m x K) bij 300 K
Thermische Uitbreiding 5.6 x 10 -6 /K (parallelle c-As) & 5,0 (loodrechte c-As) x 10 -6 /K
Hardheid Knoop 2000 kg/mm 2 met 2000g-indenter
Specifieke Hittecapaciteit 419 J (kg x K)
Diëlektrische Constante 11.5 (parallelle c-As) 9,4 (loodrechte c-As) bij 1MHz
De Modulus van jongelui (e) 335 GPa
Scheerbeurtmodulus (G) 148.1 GPa
Bulkmodulus (k) 240 GPa
Elastische Coëfficiënten C11=496C12=164C13=115
C33=498C44=148
Duidelijke Elastische Grens MPa 275 (40.000 psi)
Poisson Verhouding 0,25

 

C Vliegtuig Hoge Zachtheid en Netheid Sapphire Substrate For Semiconductor 3

 

Goedkeuringscontrole

C Vliegtuig Hoge Zachtheid en Netheid Sapphire Substrate For Semiconductor 4

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd C Vliegtuig Hoge Zachtheid en Netheid Sapphire Substrate For Semiconductor kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.