 
|
4 duimlnoi Wafeltje die Compacte Photonic Integratie bereiken
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | CHINA |
| Merknaam: | BonTek |
| Certificering: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Modelnummer: | LNOI-Wafeltje |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 25 stuks |
|---|---|
| Prijs: | $2000/pc |
| Verpakking Details: | Het pakket van de cassettekruik, zuigt verzegeld |
| Levertijd: | 1-4 weken |
| Betalingscondities: | T/T |
| Levering vermogen: | 50000 PCS/Month |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| Product: | LiNbO3 op Isolatie | Diameter: | 4 duim, Φ100mm |
|---|---|---|---|
| Hoogste Laag: | Lithium Niobaat | Hoogste dikte: | 300~600nm |
| Insolatie: | SiO2 Thermisch Oxyde | Insolatiedikte: | 2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm |
| Substraat: | silicium | Toepassing: | Optische Golfgeleiders en Microwaveguides |
| Markeren: | Piezoelectric Wafeltje van LNOI,4 duimlnoi Wafeltje,300nm LiNbO3 op Isolatie |
||
Productomschrijving
Het bereiken van Compacte Photonic Integratie met 4-duim LNOI Wafeltjes
LNOI betekent Lithiumniobate op Isolatie, die een gespecialiseerde die substraattechnologie op het gebied van geïntegreerde photonics wordt gebruikt is. LNOI-de substraten worden vervaardigd door een dunne laag van lithiumniobate (LiNbO3) kristal op een isolerend substraat over te brengen, typisch siliciumdioxyde (SiO2) of siliciumnitride (Si3N4). Deze technologie biedt unieke voordelen voor de ontwikkeling van compacte en krachtige photonic apparaten aan.
De vervaardiging van LNOI-substraten impliceert het plakken van een dunne laag van LiNbO3 op een het isoleren laag gebruikend technieken zoals of ionen-snijdt wafeltje die plakken. Dit resulteert in een structuur waar LiNbO3 op een niet geleidend substraat die wordt opgeschort, die elektroisolatie verstrekken en de optische golfgeleiderverliezen verminderen.
Toepassingen van LNOI:
- Geïntegreerde Photonics
- Optische Mededeling
- Het ontdekken en Metrologie
- Quantumoptica
| LNOI-Wafeltje | |||
| Structuur | LN/SiO2/Si | LTV/PLTV | < 1="">∗ 5 mm2)/95% |
| Diameter | Φ100 ± 0,2 mm | Rand Exclution | 5 mm |
| Dikte | 500 ± 20 μm | Boog | Binnen 50 μm |
| Primaire Vlakke Lengte | 47.5 ± 2 mm 57.5 ± 2 mm |
Rand het In orde maken | 2 ± 0,5 mm |
| Wafeltje Beveling | R Type | Milieu | Rohs 2,0 |
| Hoogste LN-Laag | |||
| Gemiddelde Dikte | 400/600±10 NM | Uniformiteit | < 40nm=""> |
| Brekingsindex | geen > 2,2800, Ne < 2=""> | Richtlijn | X as ± 0.3° |
| Rang | Optisch | Oppervlaktera | < 0=""> |
| Tekorten | >1mm niets; ≦1mmbinnen300totaal |
Losmaking | Niets |
| Kras | >1cm niets; ≦1cmbinnen3 |
Primaire Vlakte | Loodlijn aan +Y-As ± 1° |
| Isolatie SiO2 Laag | |||
| Gemiddelde Dikte | 2000nm ± 15nm 3000nm ± 50nm 4700nm ± 100nm | Uniformiteit | <> |
| Fab. Methode | Thermisch Oxyde | Brekingsindex | 1.45-1.47 @ 633 NM |
| Substraat | |||
| Materiaal | Si | Richtlijn | <100> ± 1° |
| Primaire Vlakke Richtlijn | <110> ± 1° | Weerstandsvermogen | > 10 kΩ·cm |
| Achtereindverontreiniging | Geen zichtbare vlek | Achtereind | Ets |
