Hoge snelheidsmodulatie en Breed Bandbreedte Piezoelectric Wafeltje met LNOI POI

Hoge snelheidsmodulatie en Breed Bandbreedte Piezoelectric Wafeltje met LNOI POI

Productdetails:

Plaats van herkomst: CHINA
Merknaam: BonTek
Certificering: ISO:9001, ISO:14001
Modelnummer: LNOI-Wafeltje

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 25 stuks
Prijs: $2000/pc
Verpakking Details: Het pakket van de cassettekruik, zuigt verzegeld
Levertijd: 1-4 weken
Betalingscondities: T/T
Levering vermogen: 1000 PCs/maand
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Product: Piezo op Isolatie Diameter: 4 duim, 6 duim
Hoogste Laag: Lithium Niobaat Hoogste dikte: 300~600nm
Insolatie: SiO2 Thermisch Oxyde Insolatiedikte: 2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm
Substraat: silicium Toepassing: Optische Golfgeleiders en Microwaveguides
Markeren:

Piezoelectric Wafeltje van de hoge snelheidsmodulatie

,

Breed Bandbreedte Piezoelectric Wafeltje

,

Piezoelectric Wafeltje van LNOI POI

Productomschrijving

Het toelaten van Hoge snelheidsmodulatie en Brede Bandbreedte met LNOI POI

 

Piezo op Isolatie (POI) verwijst naar een technologie waar piezoelectric materialen op een isolerend substraat geïntegreerd zijn. Dit staat voor het gebruik van het piezoelectric effect toe terwijl het verstrekken van elektroisolatie. De POI technologie laat de ontwikkeling van diverse apparaten en systemen toe die de unieke eigenschappen van piezoelectric materialen voor het ontdekken, aandrijving, en energie het oogsten toepassingen uitrusten.

 

Piezo POI (op Isolatie) de technologie vindt diverse toepassingen op verschillende gebieden aan zijn capaciteit gepast om de voordelen van piezoelectric materialen met elektroisolatie te combineren. Zoals sensoren, Microelectromechanical Systemen en Energieopslag en Generatie.

 

De veelzijdigheid van het integreren piezoelectric materialen op een isolerend substraat biedt mogelijkheden voor innovatieve oplossingen op diverse gebieden, met inbegrip van elektronika, energie, gezondheidszorg, en meer.

 

 

LNOI-Wafeltje
Structuur LN/SiO2/Si LTV/PLTV < 1=""> 5 mm2)/95%
Diameter Φ100 ± 0,2 mm Rand Exclution 5 mm
Dikte 500 ± 20 μm Boog Binnen 50 μm
Primaire Vlakke Lengte 47.5 ± 2 mm
57.5 ± 2 mm
Rand het In orde maken 2 ± 0,5 mm
Wafeltje Beveling R Type Milieu Rohs 2,0
Hoogste LN-Laag
Gemiddelde Dikte 400/600±10 NM Uniformiteit < 40nm="">
Brekingsindex geen > 2,2800, Ne < 2=""> Richtlijn X as ± 0.3°
Rang Optisch Oppervlaktera < 0="">
Tekorten >1mm niets;
1mmbinnen300totaal
Losmaking Niets
Kras >1cm niets;
1cmbinnen3
Primaire Vlakte Loodlijn aan +Y-As ± 1°
Isolatie SiO2 Laag
Gemiddelde Dikte 2000nm ± 15nm 3000nm ± 50nm 4700nm ± 100nm Uniformiteit <>
Fab. Methode Thermisch Oxyde Brekingsindex 1.45-1.47 @ 633 NM
Substraat
Materiaal Si Richtlijn <100> ± 1°
Primaire Vlakke Richtlijn <110> ± 1° Weerstandsvermogen > 10 kΩ·cm
Achtereindverontreiniging Geen zichtbare vlek Achtereind Ets

 

 

Hoge snelheidsmodulatie en Breed Bandbreedte Piezoelectric Wafeltje met LNOI POI 0Hoge snelheidsmodulatie en Breed Bandbreedte Piezoelectric Wafeltje met LNOI POI 1

 


 

Hoge snelheidsmodulatie en Breed Bandbreedte Piezoelectric Wafeltje met LNOI POI 2

 

Hoge snelheidsmodulatie en Breed Bandbreedte Piezoelectric Wafeltje met LNOI POI 3

 

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd Hoge snelheidsmodulatie en Breed Bandbreedte Piezoelectric Wafeltje met LNOI POI kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.