Hoge snelheidsmodulatie en Breed Bandbreedte Piezoelectric Wafeltje met LNOI POI
Productdetails:
Plaats van herkomst: | CHINA |
Merknaam: | BonTek |
Certificering: | ISO:9001, ISO:14001 |
Modelnummer: | LNOI-Wafeltje |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: | 25 stuks |
---|---|
Prijs: | $2000/pc |
Verpakking Details: | Het pakket van de cassettekruik, zuigt verzegeld |
Levertijd: | 1-4 weken |
Betalingscondities: | T/T |
Levering vermogen: | 1000 PCs/maand |
Gedetailleerde informatie |
|||
Product: | Piezo op Isolatie | Diameter: | 4 duim, 6 duim |
---|---|---|---|
Hoogste Laag: | Lithium Niobaat | Hoogste dikte: | 300~600nm |
Insolatie: | SiO2 Thermisch Oxyde | Insolatiedikte: | 2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm |
Substraat: | silicium | Toepassing: | Optische Golfgeleiders en Microwaveguides |
Markeren: | Piezoelectric Wafeltje van de hoge snelheidsmodulatie,Breed Bandbreedte Piezoelectric Wafeltje,Piezoelectric Wafeltje van LNOI POI |
Productomschrijving
Het toelaten van Hoge snelheidsmodulatie en Brede Bandbreedte met LNOI POI
Piezo op Isolatie (POI) verwijst naar een technologie waar piezoelectric materialen op een isolerend substraat geïntegreerd zijn. Dit staat voor het gebruik van het piezoelectric effect toe terwijl het verstrekken van elektroisolatie. De POI technologie laat de ontwikkeling van diverse apparaten en systemen toe die de unieke eigenschappen van piezoelectric materialen voor het ontdekken, aandrijving, en energie het oogsten toepassingen uitrusten.
Piezo POI (op Isolatie) de technologie vindt diverse toepassingen op verschillende gebieden aan zijn capaciteit gepast om de voordelen van piezoelectric materialen met elektroisolatie te combineren. Zoals sensoren, Microelectromechanical Systemen en Energieopslag en Generatie.
De veelzijdigheid van het integreren piezoelectric materialen op een isolerend substraat biedt mogelijkheden voor innovatieve oplossingen op diverse gebieden, met inbegrip van elektronika, energie, gezondheidszorg, en meer.
LNOI-Wafeltje | |||
Structuur | LN/SiO2/Si | LTV/PLTV | < 1="">∗ 5 mm2)/95% |
Diameter | Φ100 ± 0,2 mm | Rand Exclution | 5 mm |
Dikte | 500 ± 20 μm | Boog | Binnen 50 μm |
Primaire Vlakke Lengte | 47.5 ± 2 mm 57.5 ± 2 mm |
Rand het In orde maken | 2 ± 0,5 mm |
Wafeltje Beveling | R Type | Milieu | Rohs 2,0 |
Hoogste LN-Laag | |||
Gemiddelde Dikte | 400/600±10 NM | Uniformiteit | < 40nm=""> |
Brekingsindex | geen > 2,2800, Ne < 2=""> | Richtlijn | X as ± 0.3° |
Rang | Optisch | Oppervlaktera | < 0=""> |
Tekorten | >1mm niets; ≦1mmbinnen300totaal |
Losmaking | Niets |
Kras | >1cm niets; ≦1cmbinnen3 |
Primaire Vlakte | Loodlijn aan +Y-As ± 1° |
Isolatie SiO2 Laag | |||
Gemiddelde Dikte | 2000nm ± 15nm 3000nm ± 50nm 4700nm ± 100nm | Uniformiteit | <> |
Fab. Methode | Thermisch Oxyde | Brekingsindex | 1.45-1.47 @ 633 NM |
Substraat | |||
Materiaal | Si | Richtlijn | <100> ± 1° |
Primaire Vlakke Richtlijn | <110> ± 1° | Weerstandsvermogen | > 10 kΩ·cm |
Achtereindverontreiniging | Geen zichtbare vlek | Achtereind | Ets |