 
|
Het openen van Lithiumtantalate op Isolatie (LTOI) voor Geavanceerde Photonic Toepassingen
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | CHINA |
| Merknaam: | BonTek |
| Certificering: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Modelnummer: | LNOI-Wafeltje |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 25 stuks |
|---|---|
| Prijs: | $2000/pc |
| Verpakking Details: | Het pakket van de cassettekruik, zuigt verzegeld |
| Levertijd: | 1-4 weken |
| Betalingscondities: | T/T |
| Levering vermogen: | 50000 PCS/Month |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| Product: | LiTaO3 op Isolatie | Diameter: | 4 duim, Φ100mm |
|---|---|---|---|
| Hoogste Laag: | Lithiumtantalate | Hoogste dikte: | 300~600nm |
| Insolatie: | SiO2 Thermisch Oxyde | Insolatiedikte: | 2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm |
| Substraat: | siliciumwafeltje | Toepassing: | Optische Golfgeleiders en Microwaveguides |
| Markeren: | Photonic Lithiumtantalate op Isolatie,Piezoelectric Wafeltje van LTOI |
||
Productomschrijving
Het openen van het Potentieel van Lithiumtantalate op Isolatie (LTOI) voor Geavanceerde Photonic Toepassingen
LTOI-de tribunes voor Lithiumtantalate op Isolatie, is een gespecialiseerde die substraattechnologie op het gebied van geïntegreerde photonics wordt gebruikt. Het impliceert de overdracht van een dunne laag van lithiumtantalate (LiTaO3) kristal op een isolerend substraat, typisch siliciumdioxyde (SiO2) of siliciumnitride (Si3N4). LTOI-de substraten bieden unieke voordelen voor de ontwikkeling van compacte en krachtige photonic apparaten aan.
LTOI-de substraten worden gecreeerd door een proces plakkend waar een dunne laag van lithiumtantalate kristal op een isolerend substraat wordt overgebracht. Dit proces kan door diverse technieken, met inbegrip van of ionen-snijdt wafeltje worden bereikt die, die een sterke band tussen de lagen verzekeren plakken.
LTOI-de substraten bieden unieke voordelen voor geavanceerde photonic toepassingen aan. Hun gebruik in electro-optic modulators, golfgeleiders, niet-lineaire optische apparaten, sensoren, quantumphotonics, en geïntegreerde photonic kringen toont de brede waaier van toepassingen en het potentieel aan voor het duwen van de grenzen van geïntegreerde photonicstechnologie.
| LTOI-Wafeltje | |||
| Structuur | LiTaO3/SiO2/Si | LTV/PLTV | < 1="">∗ 5 mm2)/95% |
| Diameter | Φ100 ± 0,2 mm | Rand Exclution | 5 mm |
| Dikte | 500 ± 20 μm | Boog | Binnen 50 μm |
| Primaire Vlakke Lengte | 47.5 ± 2 mm 57.5 ± 2 mm |
Rand het In orde maken | 2 ± 0,5 mm |
| Wafeltje Beveling | R Type | Milieu | Rohs 2,0 |
| Hoogste LT. Layer | |||
| Gemiddelde Dikte | 400/600±10 NM | Uniformiteit | < 40nm=""> |
| Brekingsindex | geen > 2,2800, Ne < 2=""> | Richtlijn | Z as ± 0.3° |
| Rang | Optisch | Oppervlaktera | < 0=""> |
| Tekorten | >1mm niets; ≦1mmbinnen300totaal |
Losmaking | Niets |
| Kras | >1cm niets; ≦1cmbinnen3 |
Primaire Vlakte | Loodlijn aan +Y-As ± 1° |
| Isolatie SiO2 Laag | |||
| Gemiddelde Dikte | 2000nm ± 15nm 3000nm ± 50nm 4700nm ± 100nm | Uniformiteit | <> |
| Fab. Methode | Thermisch Oxyde | Brekingsindex | 1.45-1.47 @ 633 NM |
| Substraat | |||
| Materiaal | Si | Richtlijn | <100> ± 1° |
| Primaire Vlakke Richtlijn | <110> ± 1° | Weerstandsvermogen | > 10 kΩ·cm |
| Achtereindverontreiniging | Geen zichtbare vlek | Achtereind | Ets |
