 |
4 inch 6 inch LNOI-wafers voor compacte en hoogwaardige optische communicatie
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | China |
| Merknaam: | CQT |
| Certificering: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Modelnummer: | LNOI-Wafeltje |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 10 stuks |
|---|---|
| Prijs: | $2000/pc |
| Verpakking Details: | Het pakket van de cassettekruik, zuigt verzegeld |
| Levertijd: | 1-4 weken |
| Betalingscondities: | T/T |
| Levering vermogen: | 50000 PCs/maand |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| Producten: | LiNbO3 op Isolatie | Diameter: | 4 duim, 6 duim |
|---|---|---|---|
| Hoogste Laag: | Lithium Niobaat | Hoogste dikte: | 300~600nm |
| Insolatie: | SiO2 Thermisch Oxyde | Insolatiedikte: | 2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm |
| de draaglaag: | Si, gesmolten silica | Toepassing: | Optische Golfgeleiders en Microwaveguides |
| Markeren: | 6 inch LNOI wafers,LNOI-wafers voor optische communicatie met hoge prestaties,Compacte LNOI-wafers |
||
Productomschrijving
4 inch 6- Een centimeter.LNOI-wafers de perfecte keuze voor compacte en hoogwaardige optische communicatie
- Ik weet het niet.Een revolutie in de fotonica met LNOI-wafers met ultra-laag verlies- Ik weet het niet.
- Ik weet het niet.Next-Gen Lithium Niobate-on-Isolator (LNOI) platform- Ik weet het niet.
Ontgrendel ongekende prestaties in geïntegreerde fotonica met onze geavanceerde LNOI-wafers, ontworpen voor ultra-lage optische verliezen en een oppervlakte ruwheid onder de nanometer.Het combineren van stochiometrische dunne LiNbO3-films met thermisch geoxideerde SiO2-begraven lagen, onze wafers leveren >30x hoger niet-lineair rendementDe productie van de nieuwe modellen is in de eerste plaats mogelijk door middel van de gebruikte modellen.
Belangrijkste voordelen
✓ Doorbraak EO-prestaties: Bereiken >100 GHz modulatiebandbreedte met r33 >30 pm/V, ideaal voor 800G/1.6T coherente transceivers.
✓ Quantum-Ready Precision: Custom periodic polling (PPLN) met een domeinfout van < 5 nm voor verwikkelde fotongeneratie.
✓ Strength-hardened design: bestand tegen > 10 MW/cm2 optische intensiteit (Telcordia GR-468 gecertificeerd).
Aanvragen
▷ 5G/6G ultracompacte EO-modulatoren
▷ Topologische fotonische circuits & optische computing
▷ Quantumfrequentieomzetters (C/L-band naar telecomband)
▷ LiDAR-fotodetectoren met hoge gevoeligheid
Technische specificaties
• Wafergrootte: 100/150 mm diameter (2" tot 6" aanpasbaar)
• LiNbO3-laag: X-cut/Z-cut, dikte 300±5 nm (standaard)
• Begraven oxide: 1-3 μm SiO2, afbraakspanning > 200 V/μm
• Substraat: Si met een hoge weerstand (> 5 kΩ·cm)
| LNOI-wafer | |||
| Structuur | LN / SiO2- Ja. | LTV / PLTV | < 1,5 μm (5∗5 mm2) / 95% |
| Diameter | Φ100 ± 0,2 mm | Buitekant uitsluiten | 5 mm |
| Dikte | 500 ± 20 μm | Buigen. | Binnen 50 μm |
| Primaire vlakke lengte | 47.5 ± 2 mm 57.5 ± 2 mm |
Edge Trimming | 2 ± 0,5 mm |
| Beveling van wafers | R-type | Milieu | Rohs 2.0 |
| Bovenlaag LN | |||
| Gemiddelde dikte | 400/600±10 nm | Uniformiteit | < 40 nm @17 punten |
| Brekingsindex | niet > 2.2800, ne < 2,2100 @ 633 nm | Oriëntatie | X-as ± 0,3° |
| Graad | Optische | Oppervlak Ra | < 0,5 nm |
| Gebreken | > 1 mm Geen; ≦1 mm In totaal 300 |
Delaminatie | Geen |
| Schrapen | > 1 cm Geen; ≦1 cm Binnen 3 |
Primary Flat | Stevig op + Y-as ± 1° |
| Isolatie SiO2De laag | |||
| Gemiddelde dikte | 2000 nm ± 15 nm 3000 nm ± 50 nm 4700 nm ± 100 nm | Uniformiteit | < ± 1% @17 punten |
| Fab. methode | Thermische oxide | Brekingsindex | 1.45-1,47 @ 633 nm |
| Substraat | |||
| Materiaal | - Jawel. | Oriëntatie | < 100> ± 1° |
| Primaire platte oriëntatie | < 110> ± 1° | Resistiviteit | > 10 kΩ·cm |
| Verontreiniging aan de achterzijde | Geen zichtbare vlek | Achterkant | Etsen |
