• 1“ aan 8“ Apparaten Op hoge temperatuur van Sapphire Wafer For High-Frequency High-Power
  • 1“ aan 8“ Apparaten Op hoge temperatuur van Sapphire Wafer For High-Frequency High-Power
  • 1“ aan 8“ Apparaten Op hoge temperatuur van Sapphire Wafer For High-Frequency High-Power
1“ aan 8“ Apparaten Op hoge temperatuur van Sapphire Wafer For High-Frequency High-Power

1“ aan 8“ Apparaten Op hoge temperatuur van Sapphire Wafer For High-Frequency High-Power

Productdetails:

Plaats van herkomst: CHINA
Merknaam: BonTek
Certificering: ISO:9001
Modelnummer: Saffier (Al2O3)

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 5 stukken
Prijs: Onderhandelbaar
Verpakking Details: Cassette, Kruik, Filmpakket
Levertijd: 1-4 weken
Betalingscondities: T/T
Levering vermogen: 10000 Stukken/Maand
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Materiaal: Sapphire Wafer Richtlijn: C-as [0001], r-As [1-102], a-As [11-20], m-As [10-10]
Diameter: Φ1inch aan 8inch R.i.: 1.75449 (o) 1.74663 (e) bij 1,06 microns
Bezinningsverlies: bij 1,06 microns (2 oppervlakten) voor o-Ray - 11,7%; voor e-Ray - 14,2% Index van Absorptie: 0,3 x 10-3 cm-1 bij 2,4 microns
Specifieke Hittecapaciteit: 419 J (kg x K) Diëlektrische Constante: 11.5 (parallelle c-As) 9,4 (loodrechte c-As) bij 1MHz
Markeren:

8“ Sapphire Wafer

,

Al2O3 8 duimwafeltje

,

1“ Sapphire Wafer

Productomschrijving

Φ1“ aan 8“ Sapphire Wafer voor High-Power Apparaten Op hoge temperatuur Met hoge frekwentie

Vergelijkend bij andere wafeltjes, heeft het saffierwafeltje vele unieke eigenschappen zoals warmtegeleidingsvermogen met hoge weerstand, anticorrosief, anti-abrasion, goed, en goede elektroisolatie. wegens zijn uitstekende mechanische en chemische kenmerken, speelt het saffierwafeltje een belangrijke rol in de opto-elektronicaindustrie en wijd gebruikt in precisiemechanische gedeelten en vacuümmateriaal.

Toepassingen van Sapphire Wafer

- Apparaat met hoge frekwentie
- Hoge machtsapparaat
- GaNepitaxy apparaat
- Apparaat op hoge temperatuur
- Optoelectronic apparaat
- Lichtgevende diode

1“ aan 8“ Apparaten Op hoge temperatuur van Sapphire Wafer For High-Frequency High-Power 01“ aan 8“ Apparaten Op hoge temperatuur van Sapphire Wafer For High-Frequency High-Power 11“ aan 8“ Apparaten Op hoge temperatuur van Sapphire Wafer For High-Frequency High-Power 2

De groei

Kyroplous

Diameter

Ø 1“/Ø 2“/Ø 3“/Ø 4“/Ø 5“

Grootte

10 x 10/20 x 20/50 x 50/100 x 100 mm

Dikte

0,43 mm/0,5 mm/1 mm

Oppervlakte

één zij/twee opgepoetste kanten epi

Ruwheid

Ra ≤ 5 A

Pakket

Enige wafeltjecontainer of Ampak-cassette

Chemische formule

Al2O3

Kristalstructuur

Hexagonaal

Roosterconstante

4.77 A

Hardheid

9

Warmtegeleidingsvermogen

46 W/mk

Diëlektrische constante

11.58

R.i.

1,768


1“ aan 8“ Apparaten Op hoge temperatuur van Sapphire Wafer For High-Frequency High-Power 3

Goedkeuringscontrole

1“ aan 8“ Apparaten Op hoge temperatuur van Sapphire Wafer For High-Frequency High-Power 4

1. Het product is breekbaar. Wij hebben voldoende het ingepakt en breekbaar het geëtiketteerd. Wij leveren door uitstekende binnenlandse en internationale exprespostbedrijven om vervoerskwaliteit te verzekeren.

2. Na het ontvangen van de goederen, te behandelen gelieve zorvuldig en te controleren of het buitenkarton in goede staat is. Open zorgvuldig het buitenkarton en de controle of de verpakkingsdozen in groepering zijn. Neem een beeld alvorens u hen neemt.

3. Gelieve te openen de vacuümverpakking in een schone ruimte wanneer de producten moeten worden toegepast.

4. Als de producten tijdens koerier worden beschadigd worden gevonden, neem gelieve een beeld of een video onmiddellijk te registreren die. Neem niet de beschadigde producten uit de verpakkende doos! Contacteer onmiddellijk ons en wij zullen het probleem goed oplossen.

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd 1“ aan 8“ Apparaten Op hoge temperatuur van Sapphire Wafer For High-Frequency High-Power kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.