• De r-As van Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch van Stepanov Methode Gekweekt m-Vliegtuig
  • De r-As van Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch van Stepanov Methode Gekweekt m-Vliegtuig
De r-As van Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch van Stepanov Methode Gekweekt m-Vliegtuig

De r-As van Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch van Stepanov Methode Gekweekt m-Vliegtuig

Productdetails:

Plaats van herkomst: CHINA
Merknaam: BonTek
Certificering: ISO:9001
Modelnummer: Saffier (Al2O3)

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 5 stukken
Prijs: Onderhandelbaar
Verpakking Details: Cassette, Kruik, Filmpakket
Levertijd: 1-4 weken
Betalingscondities: T/T
Levering vermogen: 10000 Stukken/Maand
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Materiaal: Sapphire Wafer Type: Enig Kristal
Kleur: Wit/Rood/Blauw De groeimethode: Horizontaal Geleide Kristallisatie (HDC)
Oppervlakte: Dubbel Zijpools VIS-waaier: 85%
Toepassing: Het Semicondutorwafeltje, leidde Spaander, Optisch Glasvenster, Elektronische Keramiek Industrie: Geleid, optisch Glas, eli-klaar Wafeltje
Markeren:

Sapphire Wafer van Stepanov

,

HDC 3 duimwafeltje

,

Sapphire Wafer 2Inch

Productomschrijving

De r-As van Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch van Stepanov Methode Gekweekt m-Vliegtuig

De methode van Stepanov wordt gebruikt voor de groei van de details van de monokristalsaffier van diverse configuraties, met inbegrip van saffierstaven, pijpen en banden.

De methode van horizontaal Geleide Kristallisatie wordt wijd gebruikt in de synthese van grote saffiermonokristallen. De elementen van de geleide kristallisatie en het zonale smelten worden met succes gecombineerd in de Gorizontally Geleide Kristallisatie (HDC) methode. Het kristal groeit bij langzame beweging van de lokale gesmolten streek langs de container met de ovenlast, die een bootvorm hebben. De Horizontale Geleide Kristallisatiemethode voorziet het ontvangen van monocrystalline saffier van kleine grootteverspreiding van dwarsdoorsnede en staat toe om saffiermonokristal van om het even welke kristallografische richtlijn in de vorm van platen van de verslaggrootte te groeien onbereikbaar bij gebruik van andere de groeimethodes.

De r-As van Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch van Stepanov Methode Gekweekt m-Vliegtuig 0De r-As van Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch van Stepanov Methode Gekweekt m-Vliegtuig 1De r-As van Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch van Stepanov Methode Gekweekt m-Vliegtuig 2

OPTISCHE EIGENSCHAPPEN

Transmissie

um 0,17 tot 5,5

R.i.

1.75449 (o) 1.74663 (e) bij um 1,06

Bezinningsverlies

bij 1,06 microns (2 oppervlakten) voor o-Ray - 11,7%; voor e-Ray - 14,2%

Absorptieindex

0,3 x 10-3 cm-1 bij um 2,4

dN/dT

13.7 x 10-6 bij um 5,4

dn/dm = 0

1.5 um

Richtlijn

R-vliegtuig, c-Vliegtuig, a-Vliegtuig, m-Vliegtuig of een gespecificeerde richtlijn

Richtlijntolerantie

± 0.3°

Diameter

2 duim, 3 duim, 4 duim, 6 duim, 8 duim of anderen

Diametertolerantie

0.1mm voor 2 duim, 0.2mm voor 3 duim, 0.3mm voor 4 duim, 0.5mm voor 6 duim

Dikte

0.25mm, 0.33mm, 0.43mm, 0.65mm, 1mm of anderen;

Diktetolerantie

25μm

Primaire Vlakke Lengte

16.0±1.0mm voor 2 duim, 22.0±1.0mm voor 3 duim, 30.0±1.5mm voor 4 duim, 47.5/50.0±2.0mm voor 6 duim

Primaire Vlakke Richtlijn

A-vliegtuig (1 1-2 0) ± 0.2°; C-vliegtuig (0 0-0 1) ± 0.2°, Ontworpen c-As 45 +/- 2°

TTV

≤10µm voor 2 duim, ≤15µm voor 3 duim, ≤20µm voor 4 duim, ≤25µm voor 6 duim

BOOG

≤10µm voor 2 duim, ≤15µm voor 3 duim, ≤20µm voor 4 duim, ≤25µm voor 6 duim

Front Surface

Epi-opgepoetst (Ra< 0="">

Achteroppervlakte

Fijne grond (Ra=0.6μm~1.4μm) of epi-Opgepoetst

Verpakking

Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu

De r-As van Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch van Stepanov Methode Gekweekt m-Vliegtuig 3

Goedkeuringscontrole

De r-As van Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch van Stepanov Methode Gekweekt m-Vliegtuig 4

1. Het product is breekbaar. Wij hebben voldoende het ingepakt en breekbaar het geëtiketteerd. Wij leveren door uitstekende binnenlandse en internationale exprespostbedrijven om vervoerskwaliteit te verzekeren.

2. Na het ontvangen van de goederen, te behandelen gelieve zorvuldig en te controleren of het buitenkarton in goede staat is. Open zorgvuldig het buitenkarton en de controle of de verpakkingsdozen in groepering zijn. Neem een beeld alvorens u hen neemt.

3. Gelieve te openen de vacuümverpakking in een schone ruimte wanneer de producten moeten worden toegepast.

4. Als de producten tijdens koerier worden beschadigd worden gevonden, neem gelieve een beeld of een video onmiddellijk te registreren die. Neem niet de beschadigde producten uit de verpakkende doos! Contacteer onmiddellijk ons en wij zullen het probleem goed oplossen.

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd De r-As van Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch van Stepanov Methode Gekweekt m-Vliegtuig kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.